تعدّ Samsung Foundry ثاني أكبر شركات التصنيع في العالم بعد TSMC وقد بدأت هذه الشركة لتوّها في إجراء بعض التغييرات على تقنية التصنيع 3 نانو متر، لتظهر شرائحها الأولى وفق التقنية الجديدة 3GAE(3nm Gate-All-Around Early) وبكمياتٍ كبيرةٍ خلال العام المقبل 2022 وقد يتم استخدام هذه الشرائح محلياً فقط دون بيعها إلى بقية الشركات.
وقد صرّحت سامسونج بأنها تبحث في موضوع إنتاج الكثير من الشرائح 3GAE، لتتلو ذلك عملية تصنيع الشرائح 3GAP (3nm Gate-All-Around Plus) في العام 2023، وأما بشأن بقية الشرائح القديمة التي استخدمت في السابق بنية الترانستور FinFET فقد عملت سامسونج على إضافة كلٍّ من 5LPP و 4LPP إلى خطة التصنيع لهذا العام و2022 أيضاً، كما وعدت بأن الشرائح 3GAE و 3GAP ستقدّم أداءً أفضل بنسبة 35%، مقابل استهلاك نصف مقدار الطاقة وذلك بالمقارنة مع تقنية التصنيع 7LPP والتي يجري استخدامها حالياً في شرائح الجيل السابق.
وبالنظر إلى ما أفادته سامسونج من معلوماتٍ في 2019 حول ابتدائها في تصنيع الشرائح 3GAA خلال أواخر العام 2021، ومناقضتها لذلك بتطوير التقنية 3GAE فيمكن الاستنتاج بأن هذه الشركة قد أخطأت في التقدير نوعاً ما، إلا أن خطأها لا يؤخذ بعين الاعتبار إذ أنها لم تبدأ بعد في استخدام التقنية Early.
وقبل عدة أيامٍ فقط، سجلت Samsung Foundry أول شريحةٍ لها تعمل وفق التقنية 3GAA ، علماً بأن تسجيل الشريحة هو آخر خطوةٍ يمكن إجراؤها في دورة التصميم الكاملة، ويعني ذلك بأن هذه الشرائح حالياً قد وضعت تحت الاختبار فإما أن تعمل وتحتاج إلى بعض الإصلاحات أو الكثير منها، وإما أن تكون غير صالحةٍ للاستخدام.